Osram rozširuje výrobu vysokovýkonných LED diód
Pri rozširovaní rozsahu dvoch závodov na výrobu čipov ich spoločnosť Osram Opto Semiconductors tiež vylepšila na 6-palcové výrobné základne doštičiek, čím výrazne zvýšila produkciu. Medzi nimi základňa Penang v Malajzii stavia výrobnú budovu, zatiaľ čo základňa Regensburg v Nemecku prerozdeľuje existujúci závod. Obe základne prijmú nové výrobné technológie a predstavia 6-palcové doštičky, ktoré nahradia súčasné 4-palcové doštičky. Po prijatím týchto opatrení sa očakáva, že do konca roka 2012 sa výkon bielych LED čipov zdvojnásobí.
Prostredníctvom tejto série opatrení spoločnosť Osram Opto Semiconductors využije rastový potenciál medzinárodného trhu LED na rozšírenie výrobnej kapacity svojich dvoch výrobných základní čipov v Regensburgu a Penangu, čím ďalej upevní svoju vedúcu pozíciu na medzinárodnom trhu. Závod na výrobu čipov Penang bol otvorený menej ako dva roky a teraz má dobrý čas na rozšírenie a modernizáciu na 6-palcovú výrobnú základňu doštičiek. Celková plocha závodu sa do roku 2012 zvýši na 25 000 metrov štvorcových a pribudne 400 nových pracovných miest. V závode Regensburg sa bude rekonštruovať dostupný priestor a výroba InGaN (Indium Gallium Nitride) bude postupne modernizovaná už v lete 2011.
Aldo Kamper, generálny riaditeľ spoločnosti Osram Opto Semiconductors, povedal: "Rozšírením výrobnej kapacity vysokovýkonných čipov InGaN pokračujeme v konsolidácii našej pozície na trhu. LED trh má veľký rastový potenciál v mnohých rôznych oblastiach použitia a budeme ho naďalej používať. Táto hnacia sila naďalej rastie. OSRAM Opto Semiconductors je dôležitým článkom v reťazci s pridanou hodnotou LED technológie OSRAM."
Táto expanzívnosť sa dotkne najmä čipov InGaN pomocou tenkého filmu a technológie UX:3, ktoré sú potrebné na výrobu bielych LED diód. V budúcnosti sa tieto čipy budú vyrábať na 6-palcových doštičiek od začiatku, namiesto toho, aby boli založené na súčasných doštičiek s priemerom 4 palcov.
